一、名詞、術(shù)語(yǔ)

1． 局部放電

局部放電是指在絕緣的局部位置放電，它并不構(gòu)成整個(gè)絕緣的貫通性擊穿。它包含三種放電形式：內(nèi)部放電（在介質(zhì)內(nèi)部）、沿面放電（在介質(zhì)表面）、電暈放電（在電極**）。

2． 電荷量q

在試品兩端瞬時(shí)注入一定電荷量，使試品端電壓的變化和由局部放電本身引起的端電壓的變化相同，此注入量即為局部放電的視在電荷量。

3． 視在放電量校準(zhǔn)器

視在放電量校準(zhǔn)器是一標(biāo)準(zhǔn)電量發(fā)生器，試驗(yàn)前它以輸出某固定電量加之試品兩端，模擬該試品在此電量下放電時(shí)局部放電測(cè)試儀的響應(yīng)，此時(shí)調(diào)整刻度系數(shù)，確定局部放電檢測(cè)儀的量程，以便在試驗(yàn)時(shí)測(cè)量該試品在額定電壓下的視在放電量。因該放電量時(shí)以標(biāo)準(zhǔn)電量發(fā)生器比較后間接測(cè)出，而非直接測(cè)出，故此放電量稱為“視在放電量"。

校正電量發(fā)生器是測(cè)量局部放電時(shí)必備的儀器，它的性能參數(shù)直接關(guān)系到測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

視在放電量校準(zhǔn)器由校準(zhǔn)脈沖電壓發(fā)生器和校準(zhǔn)電容串聯(lián)組成，其參數(shù)主要包括：脈沖波形上升時(shí)間、衰減時(shí)間、內(nèi)阻、脈沖峰值、校準(zhǔn)電容值等。

校準(zhǔn)脈沖電壓發(fā)生器電壓波形上升時(shí)間為從0.1U0到0.9U0的時(shí)間，衰減時(shí)間定義為從峰值下降到0.1U0的時(shí)間。

4．檢測(cè)阻抗

檢測(cè)阻抗是拾取檢測(cè)信號(hào)的裝置，在使用中，應(yīng)根據(jù)不同的測(cè)試目的，被試品的種類來(lái)選擇合適的檢測(cè)阻抗，以提高局部放電測(cè)量的靈敏度、分辨能力、波形特性及信噪比。

檢測(cè)阻抗按調(diào)諧電容范圍分1～12號(hào)。（見表1）

5．時(shí)間窗門單元

時(shí)間窗是為防止大于局部放電的干擾信號(hào)進(jìn)入峰值檢波電路而設(shè)計(jì)的一種電路裝置。因在實(shí)際試驗(yàn)時(shí)，尤其是在現(xiàn)場(chǎng)做試驗(yàn)時(shí)，不可避免地會(huì)引入一些干擾，所以，時(shí)間窗的使用更顯得重要。

時(shí)間窗的工作原理是把橢圓掃描時(shí)基分成導(dǎo)通加亮區(qū)域和截止未加亮區(qū)域兩部分,通過(guò)改變時(shí)間窗的位置和寬度將放電脈沖置于導(dǎo)通加亮區(qū)域，干擾脈沖置于截止未加亮區(qū)域，此時(shí)儀表讀數(shù)即為放電脈沖數(shù)值，而干擾則不論大小，皆不會(huì)影響放電脈沖數(shù)值。若此時(shí)兩個(gè)時(shí)間窗同時(shí)關(guān)閉，則儀表讀數(shù)為整個(gè)橢圓上脈沖之峰值。

二、技術(shù)參數(shù)

1．可測(cè)試品的電容范圍：6ｐF~250ｕF

2．檢測(cè)靈敏度及允許電流見表1。

3．橢圓掃描時(shí)基

1頻率：50、100、150、200、400Ｈz

2旋轉(zhuǎn)：以30度為一檔，可旋轉(zhuǎn)120度。

3工作方式：標(biāo)準(zhǔn)－擴(kuò)展－直線。

4高頻時(shí)基橢圓的輸入電壓范圍：13~275Ｖ。

4．顯示單元

采用100×80mm矩形示波管，有亮度與聚焦調(diào)節(jié)旋鈕。

5．放大器

1 3dB低頻端頻fL：20、40KHz任選。

2 3dB高頻端頻率fH：200、300KHz任選。

3增益調(diào)節(jié)：粗調(diào)6檔，檔間增益差10倍±5%。

4細(xì)調(diào)范圍：＞10倍。

5正、負(fù)脈沖響應(yīng)不對(duì)稱性：＜5%。

6．時(shí)間窗

1窗寬：5度~150度50Hz連續(xù)可調(diào)。

2窗位置：每一窗可旋轉(zhuǎn)0度~170度。

3兩個(gè)時(shí)間窗可分別或同時(shí)控制。

7、脈沖峰值表

1線性指示：0~100誤差不大于5%。

2   對(duì)數(shù)指示：1~100誤差不大于5%。